收藏本站
NTGD3149C
TYPICAL CHARACTERISTICS (P ? CHANNEL)
700
650
600
550
500
450
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.5
4.0
3.5
3.0
QT
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
C rss
2.0
4.0
C oss
6.0
8.0
10
12
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
Q1
1.0
Q2
2.0
3.0
I D = 2.7 A
T J = 25 ° C
4.0
5.0
1000
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. Pch Capacitance Variation
3.5
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 18. Pch Gate ? to ? Source Voltage vs.
Total Charge
100
10
V DD = ? 10 V
I D = ? 1 A
V GS = ? 4.5 V
t d(on)
t d(off)
t f
t r
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0.5
1.0
1.0
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 19. Pch Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
7
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 20. Pch Diode Forward Voltage vs.
Current
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTGD4161PT1G MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP
NTGD4167CT1G MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP
NTGD4169FT1G MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
NTGS1135PT1G MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
NTGS3130NT1G MOSFET N-CH SGL 20V 5.6A 6-TSOP
NTGS3441BT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
NTGS3441PT1G MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP
NTGS3441T1 MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
相关代理商/技术参数
NTGD4161P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6
NTGD4161P_06 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6
NTGD4161PT1G 功能描述:MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGD4167C 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET Complementary, 30 V, +2.9/−2.2 A, TSOP−6 Dual
NTGD4167CT1G 功能描述:MOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGD4169F 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 2.9 A, N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6
NTGD4169FT1G 功能描述:MOSFET FETKY 30V 2.6A 90MO TSOP6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGF3123F 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters